SK하이닉스 "1c D램서 EUV 적층 수 5개층 이상 적용"

  • 등록일 2025-08-12
  • 조회수 63
첨부파일

SK하이닉스가 차세대 D램 개발서 EUV(극자외선) 공정을 적극 활용하고 있다. 

 

링크 : https://v.daum.net/v/20250811165522217


목록으로

이전글
등록된 글이 없습니다.
다음글
한양대, 반도체 미세결함 관찰 초고해상도 광학 현미경 개발