SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) D램 생산 비중을 빠르게 확대하고 있다. 차세대 고대역폭메모리(HBM4E)부터 1c D램이 HBM을 쌓아 올리는 핵심 칩으로 적용되는 만큼 공정 전환에 속도를 내는 모습이다. 서버·인공지능(AI)향 고부가 메모리 수요가 늘어나는 가운데 삼성전자·마이크론과의 미세공정 전환 경쟁도 한층 치열해지는 양상이다.

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